試驗(yàn)?zāi)康?

有效發(fā)現(xiàn)設(shè)備整體受潮和臟污，以及絕緣擊穿和嚴(yán)重過(guò)熱老化等缺陷。

適用范圍

35kV及以上電容式套管交接、大修后試驗(yàn)和預(yù)防性試驗(yàn)

試驗(yàn)時(shí)使用的儀器

2500V兆歐表

測(cè)量步驟

斷開被試品的電源，拆除或斷開對(duì)外的一切連線，將被試品接地放電。放電時(shí)應(yīng)用絕緣棒等工具進(jìn)行，不得用手碰觸放電導(dǎo)線。

用干燥清潔柔軟的布擦去被試品外絕緣表面的臟污，必要時(shí)用適當(dāng)?shù)那鍧崉┫磧簟?

兆歐表上的接線端子“E”是接被試品的接地端的,“乚”是接高壓端的,“G”是接屏蔽端的。應(yīng)采用屏蔽線和絕緣屏蔽棒作連接。

將兆歐表水平放穩(wěn)，當(dāng)兆歐表轉(zhuǎn)速尚在低速旋轉(zhuǎn)時(shí)，用導(dǎo)線瞬時(shí)短接“工”和“E”端子，其指針應(yīng)指零。開路時(shí)，兆歐表轉(zhuǎn)速達(dá)額定轉(zhuǎn)速其指針應(yīng)指“∞”。然后使兆歐表停止轉(zhuǎn)動(dòng)，將兆歐表的接地端與被試品的地線連接，兆歐表的高壓端接上屏蔽連接線，連接線的另一端懸空(不接試品)，再次驅(qū)動(dòng)兆歐表或接通電源，兆歐表的指示應(yīng)無(wú)明顯差異。然后將兆歐表停止轉(zhuǎn)動(dòng)，將屏蔽連接線接到被試品測(cè)量部位。

驅(qū)動(dòng)兆歐表達(dá)額定轉(zhuǎn)速，或接通兆歐表電源，待指針?lè)€(wěn)定后(或60s)，讀取絕緣電阻值。

讀取絕緣電阻后，先斷開接至被試品高壓端的連接線，然后再將兆歐表停止運(yùn)轉(zhuǎn)。

斷開兆歐表后對(duì)被試品短接放電并接地。

測(cè)量時(shí)應(yīng)記錄被試設(shè)備的溫度、濕度、氣象情況、試驗(yàn)日期及使用儀表等。

影響因素及注意事項(xiàng)

外絕緣表面泄漏的影響

一般應(yīng)在空氣相對(duì)濕度不高于80%條件下進(jìn)行試驗(yàn)，在相對(duì)濕度大于80%的潮濕天氣，電氣設(shè)備引出線瓷套表面會(huì)凝結(jié)一層極薄的水膜，造成表面泄漏通道，使絕緣電阻明顯降低。此時(shí)，應(yīng)在引出線瓷套上裝設(shè)屏蔽環(huán)(用細(xì)銅線或細(xì)熔絲緊扎1~2圈)接到兆歐表屏蔽端子。常用的接線如圖3所示。屏蔽環(huán)應(yīng)接在靠近兆歐表高壓端所接的瓷套端子，遠(yuǎn)離接地部分，以免造成兆歐表過(guò)載，使端電壓急劇降低，影響測(cè)量結(jié)果。

感應(yīng)電壓的影響

測(cè)量高壓架空線路絕緣電阻，若該線路與另一帶電線路有一段平行，則不能進(jìn)行測(cè)量，防止靜電感應(yīng)電壓危及人身安全，同時(shí)以免有明顯的工頻感應(yīng)電流流過(guò)兆歐表使測(cè)量無(wú)法進(jìn)行。

溫度的影響

試品溫度一般應(yīng)在 10~40℃之間。絕緣電阻隨著溫度升高而降低，但目前還沒(méi)有一個(gè)通用的固定換算公式。溫度換算系數(shù)最好以實(shí)測(cè)決定。例如正常狀態(tài)下，當(dāng)設(shè)備自運(yùn)行中停下，在自行冷卻過(guò)程中，可在不同溫度下測(cè)量絕緣電阻值，從而求出其溫度換算系數(shù)。

測(cè)量結(jié)果的判斷

絕緣電阻值的測(cè)量是常規(guī)試驗(yàn)項(xiàng)目中的最基本的項(xiàng)目。根據(jù)測(cè)得的絕緣電阻值，可以初步估計(jì)設(shè)備的絕緣狀況，通常也可決定是否能繼續(xù)進(jìn)行其他施加電壓的絕緣試驗(yàn)項(xiàng)目等。

在《電力公司電氣設(shè)備試驗(yàn)規(guī)程》中，要求套管主絕緣的絕緣電阻值不低于10000MΩ，末屏對(duì)地的絕緣電阻不低于1000MΩ，對(duì)電容型套管，有抽壓端子的與末屏要求一致。除了測(cè)得的絕緣電阻值很低，試驗(yàn)人員認(rèn)為該設(shè)備的絕緣不良外，在一般情況下，試驗(yàn)人員應(yīng)將同樣條件下的不同相絕緣電阻值，或以同一設(shè)備歷次試驗(yàn)結(jié)果(在可能條件下?lián)Q算至同一溫度)進(jìn)行比較，結(jié)合其它試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行綜合判斷。需要時(shí)，對(duì)被試品各部位分別進(jìn)行分解測(cè)量將不測(cè)量部位接屏蔽端，便于分析缺陷部位。